Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: Photovoltaik II

HL 14.6: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 11:45–12:00, H1

Dunkelkennlinie der (n) a-Si/(p) c-Si Heterosolarzellen in Abhaengigkeit der Temperatur — •Reza M. Hussein, Dietmar Borchert, Guenter Grabosch und Wolfgang R. Fahrner — FerUniversitaet Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, Haldener Str. 182, 58084 Hagen

Das Ersatzschaltbild einer Solarzelle nach dem

2-Dioden-Modell besteht aus einer Konstantstrom-

quelle, zwei parallelgeschalteten Dioden, dem

Serien- und dem Parallelwiderstand. Diese

Groessen bestimmen den Verlauf einer IU-Hell-

kennlie und somit die physikalischen Eigenschaften

einer Solarzelle. Aus der Analyse der gemessenen

Dunkelkennlinien in der halblogarithmischen Dar-

stellung lassen sich diese Groessen genau ermitteln.

Fuer diese Zweck wurde Solarzellen der Struktur

Grid/ITO/(n)a-Si/(p)c-Si/Al hergestellt. Diese

Zellen liefern einen Wirkungsgrad von 13.1 Prozent

auf 1cm2 und 11.9 Prozent auf 39 cm2. Die Dunkel-

kennlinien der Zellen wurden im Temperaturbereich

zwischen 300K bis 30K gemessen. Im Bereich der Raum-

temperatur zeigen die Kennlinien das typische 2-Dioden

Verhalten. Dieses Verhalten verschwindet bei tieferen Temperaturen.

Es herrscht vermutlich nur das 1-Dioden-Modell.

Die Ergebnisse solcher Untersuchungen werden hier

praesentiert und diskutiert.