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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.11: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 13:00–13:15, H2

Untersuchung von IR-RTI Oszillationen beim Wachstum von Gruppe III-Nitrid-Filmen — •Michael Gross, Torsten Rupp, Bernd H"uttner, and Helmut Schr"oder — DLR, Institut f"ur Technische Physik, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart

Infolge von Reflexion und Interferenz in einer epitaktisch aufwachsenden Schicht beobachtet man zeitliche Oszillationen der Infrarotstrahlung des Substratheizers. Dieser als ,,IR radiation transmission intensity (IR-RTI) oscillation” bezeichnete Effekt wird in der MOCVD einerseits als Indikator für 2D-Wachstum, andererseits für eine in situ Schichtdickenmessung verwendet [1, 2]. Maßgeblich für den Verlauf der Oszillationen ist dabei der komplexe Brechungsindex, der von der Konzentration der freien Ladungsträger in der aufwachsenden Schicht abhängt. In diesem Beitrag werden die aus IR-RTI Oszillationen gewonnenen Werte für die Ladungsträgerkonzentrationen mit Hall-Messungen verglichen. Zu diesem Zweck wurden GaN- und AlN-Filme mittels laserinduzierter MBE (LIMBE) auf Saphir (0001) gewachsen (3). Während des Prozesses wurde die Intensität der IR-Strahlung bei einer Wellenlänge von 800 nm mittels eines optischen Pyrometers aufgezeichnet. Die Messungen der Hall-Ladungsträgerkonzentration erfolgte nach der van-der-Pauw-Methode.
[1] S. Nakamura und G. Fasol, The Blue Laser Diode, Seite 40, Springer 1997
[2] T. Okamato and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L156 (1991)
[3] M. Gross, G. Henn, H. Schröder, Mater. Sci. Eng. B (50), (1997) 16