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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.12: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 13:15–13:30, H2

Abkühldynamik von Exzitonen in GaN — •D. Hägele, R. Zimmermann, M. Oestreich, M.R. Hofmann und W.W. Rühle — Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg, Renthof 5, D-35032 Marburg

Wir untersuchen in hexagonalem GaN die Bildung und das Abkühlen einer optisch erzeugten Exzitonenverteilung mittels zeitaufgelösten Photolumineszenzmessungen an der Phononreplik des freien Exzitons. Wir bestimmen eine Exzitonenbildungszeit innerhalb der Zeitauflösung von 10 ps. Aus der Linienform der Phononreplik, kann die Temperatur der Exzitonen bestimmt werden. Die Verteilung erreicht bei tiefen Probentemperaturen nach 150 ps die Temperatur des Gitters. Wir erhalten aus einem Modell, das die Deformationspotentialstreuung als dominanten Abkühlmechanismus beinhaltet, einen expliziten Ausdruck für die zeitliche Temperaturentwicklung. Aus der Datenanpassung für zwei unterschiedliche Probentemperaturen ergibt sich ein effektives Deformationspotential von 13 eV.