Münster 1999 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 15: GaN II
HL 15.2: Talk
Tuesday, March 23, 1999, 10:45–11:00, H2
Einfluß der Barrierendotierung und -komposition auf die
optische Verstärkung von (In,Ga)N-MQWs — •M. Vehse1, P. Michler1, J. Gutowski1, D. Hommel1 und S.P. DenBaars2 — 1Universität Bremen, P.O. Box 330440, 28334 Bremen — 2University of California, Santa Barbara, California 93106-5050
Eine große optische Verstärkung und eine niedrige Transparenzdichte
der aktiven Schicht sind notwendige Voraussetzungen für einen
effizienten
Halbleiterlaser.
Mit Hilfe der Variablen-Strichlängen-Methode (VSLM) wurde der
Einfluß der Barrierendotierung und der Barrierenkomposition auf die
optische Verstärkung von (In,Ga)N-MQWs untersucht. Dazu wurden bei
einer Serie von (In,Ga)N-MQWs (10 x 2.5 nm) die Barrieren wie folgt
variiert: Zwei Proben besitzen eine undotierte bzw. Si-dotierte
ternäre (In,Ga)N-Barriere, eine dritte eine mit Si dotierte binäre
GaN-Barriere.
Mit Hilfe eines Excimerlaser gepumpten
Farbstofflasers wurden die Proben unterhalb der Barriere (bei 363
nm) angeregt und die optische Verstärkung temperatur- und
leistungsabhängig gemessen.
Es zeigt sich aus den temperaturabhängigen Verstärkungsspektren, daß die Probe mit den ternären Barrieren kleinere Transparenzdichten und somit einen größeren T0-Wert aufweist als diejenige mit den binären Barrieren. Außerdem besitzen sie ein Verstärkungsspektrum mit einer geringeren Halbwertsbreite. Si-Dotierung bewirkt eine Verschmälerung der Verstärkungsspektren, höhere Materialverstärkung, eine Reduktion der Streuverluste und eine geringere Transparenzdichte. Für die Anwendung beim Bauelementdesign folgt daraus, daß für einen effektiv verstärkenden Diodenlaser Si-dotierte ternäre Barrieren zu bevorzugen sind.