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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.3: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 11:00–11:15, H2

Optische Charakterisierung der exzitonischen Übergänge in hexagonalen GaN-Schichten — •T. Ebner¹, K. Kornitzer¹, K. Thonke¹, R. Sauer¹, M. Mayer² und M. Kamp² — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm, Germany — ²Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm, 89069 Ulm, Germany

Reflektions- und Photoleitfähigkeitsmessungen bieten gegenüber der Photolumineszenz den Vorteil, daß selbst bei sehr tiefen Temperaturen alle drei exzitonischen Übergänge von light hole, heavy hole und split off-Band zum Leitungsband in vergleichbarer Intensität deutlich sichtbar sind. Durch Gegenüberstellung aller drei Meßmethoden können unter anderem die Lumineszenzlinien der freien A-, B- und C-Exzitonen eindeutig von denen der gebundenen Exzitonen unterschieden werden. Durch numerische Anpassung theoretischer Modelle für den Absorptionskoeffizienten und Real- und Imaginärteil des Brechungsindexes können aus den gemessenen Spektren die zugehörigen Übergangsenergien, die Rydbergenergien und die Linienbreiten zuverlässig ermittelt werden.