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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.4: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 11:15–11:30, H2

Hall-Messungen an Mg-dotiertem GaN — •B. Mertzbach¹, B. Schineller¹, O. Schön², H. Protzmann², M. Lünenbürger², M. Heuken² und K. Heime¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl 1, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — ²AIXTRON AG, Kackertstr.15-17, D-52072 Aachen

GaN, welches ein direkter Halbleiter mit einem großen Bandabstand von 3,39eV ist, ist ein attraktives Material für Leucht- und Laserdioden vom blauen bis in den ultravioletten Wellenlängenbereich. Ein hervorstechendes Problem stellt jedoch die p-Dotierung mit Mg sowie deren Nachweis mittels Hall-Messung dar, da zum einen die Aktivierungsenergie des Mg-Akzeptors groß ist, und zum anderen die persistente Photoleitung die Hall-Messung beeinflußt. Es wurden Hall-Messungen an Proben mit unterschiedlichen Mg-Gehalten durchgeführt. Über die Einflüsse der Meßbedingungen (Beleuchtung, zeitl. Verlauf im Dunkeln, Meßtemperatur) auf die Ergebnisse der Hall-Messung wird berichtet. einmal