Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

HL 15.7: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 12:00–12:15, H2

Charakterisierung von InGaN/GaN-DH-LEDs mittels hochaufgelöster Elektrolumineszenz- und Photolumineszenz- Mikroskopie — •Peter Fischer¹, Jüergen Christen¹, Margit Zacharias¹, Veit Schwegler², Christoph Kirchner² und Markus Kamp² — ¹Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, PSF4120, 39016 Magdeburg — ²UniversiTät Ulm, Abteilung Optoelektronik, 89069 Ulm

Mit MOVPE gewachsene InGaN/GaN-Doppel-Heterostruktur-LEDs

werden mittels spektral-aufgelöster Raster-µ-Elektrolumineszenz

und Raster-µ-Photolumineszenz mit einer Ortsauflösung besser als

600nm im Temperaturbereich von 5K<T<300K charakterisiert. Ein

örtlicher Bezug für die einzelnen spektralen Rekombinationskanäle

wird hergestellt. Das Elektrolumineszenzverhalten zeigt

charakteristische Änderungen in Abhängigkeit der injezierten

Ladunsgträgerdichte. Die µ-Elektrolumineszenz visualisiert

direkt die lateralen Inhomogenitäten in der InGaN-DH-LED.

Die Ergebnisse werden vergleichend mit der Raster-µ-

Photolumineszenz diskutiert.