Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 15: GaN II
HL 15.8: Talk
Tuesday, March 23, 1999, 12:15–12:30, H2
Einfluß der Dotierung auf die Gitterdynamik von GaN — •A. Kaschner1, H. Siegle1, A. Hoffmann1, C. Thomsen1, U. Birkle2, S. Einfeldt2 und D. Hommel2 — 1Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Institut f. Festkörperphysik, Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen
Wir präsentieren Ergebnisse von Raman–Streuexperimenten an
dotierten GaN–Schichten, die mit der Methode der
Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt wurden. Die
untersuchten Proben sind unterschiedlich stark mit Si, C
bzw. Mg dotiert. Unsere Experimente zeigen, welchen Einfluß
die unterschiedlichen Dotierstoffe auf die Gitterdynamik des GaN
haben. Insbesondere der Zusammenhang zwischen Dotierung, freier
Ladungsträgerdichte und biaxialer Verspannung wurde untersucht.
Weiterhin berichten wir *ber lokale Moden (LVM) in stark
Magnesium dotiertem GaN. Sowohl im Bereich der GaN Phononen,
als auch im hochenergetischen Bereich um 2200 cm−1 finden
wir LVM, deren Intesität mit der Mg–Konzentration korreliert.
Zur Bestimmung der Magnesiumkonzentration wurde
Sekundärionen–Massenspektroskopie (SIMS) angewendet.