Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 15: GaN II

Tuesday, March 23, 1999, 10:30–13:30, H2

	10:30	HL 15.1	Struktur, Morphologie und Reaktivität der polaren Oberflächen von GaN Epischichten — •F.S. Tautz, S. Sloboshanin, U. Starke und J.A. Schaefer
	10:45	HL 15.2	Einfluß der Barrierendotierung und -komposition auf die optische Verstärkung von (In,Ga)N-MQWs — •M. Vehse, P. Michler, J. Gutowski, D. Hommel und S.P. DenBaars
	11:00	HL 15.3	Optische Charakterisierung der exzitonischen Übergänge in hexagonalen GaN-Schichten — •T. Ebner, K. Kornitzer, K. Thonke, R. Sauer, M. Mayer und M. Kamp
	11:15	HL 15.4	Hall-Messungen an Mg-dotiertem GaN — •B. Mertzbach, B. Schineller, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, M. Heuken und K. Heime
	11:30	HL 15.5	Stress in GaN:Si — •L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz und J. Off
	11:45	HL 15.6	Alternative Akzeptoren im GaN: Vergleichende ortsaufgelöste Kathodolumineszenzmessungen an C-, Ca- und Mg-dotierten GaN-Schichten — •D. Rudloff, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, U. Birkle, S. Einfeldt und D. Hommel
	12:00	HL 15.7	Charakterisierung von InGaN/GaN-DH-LEDs mittels hochaufgelöster Elektrolumineszenz- und Photolumineszenz- Mikroskopie — •Peter Fischer, Jüergen Christen, Margit Zacharias, Veit Schwegler, Christoph Kirchner und Markus Kamp
	12:15	HL 15.8	Einfluß der Dotierung auf die Gitterdynamik von GaN — •A. Kaschner, H. Siegle, A. Hoffmann, C. Thomsen, U. Birkle, S. Einfeldt und D. Hommel
	12:30	HL 15.9	Optische Charakterisierung der p-Dotierung in C- und Mg-dotierten hexagonalen GaN/Al2O3 Einfachschichten aus der MBE — •S. Strauf, P. Michler, J. Gutowski, M. Fehrer, U. Birkle, S. Einfeldt und D. Hommel
	12:45	HL 15.10	Identifizierung von Defektzuständen in GaN durch radioaktive Isotope — •A. Stötzler, A. Burchard, R. Weissenborn, M. Deicher und ISOLDE Kollaboration
	13:00	HL 15.11	Untersuchung von IR-RTI Oszillationen beim Wachstum von Gruppe III-Nitrid-Filmen — •Michael Gross, Torsten Rupp, Bernd H"uttner, and Helmut Schr"oder
	13:15	HL 15.12	Abkühldynamik von Exzitonen in GaN — •D. Hägele, R. Zimmermann, M. Oestreich, M.R. Hofmann und W.W. Rühle