Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quanten Hall Effekt

HL 16.5: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 11:30–11:45, H3

Randkanalbeeinflussung durch lateral implantierte Barrieren mit Hilfe der fokussierten Ionenimplantation — •S. Gargosch¹, J. Koch¹, C. Heidtkamp¹, H. Jiang², K. Clark², W. Kirk², and A.D. Wieck¹ — ¹Lehrstuhl f"ur Angewandte Festk"orperphysik, Ruhr-Universit"at-Bochum, Universit"atsstrasse 150, 44780 Bochum — ²Nano-Fabrication Institute at the Texas A&M University, Department of Physics, College Station, Texas 77843-4242, U.S.A.

Auf einer Hallsteg–Struktur wurden mit Hilfe der No-dqFocused–Ion–Beam (FIB)No-dq–Technik Ga⁺–Ionen mit einer Energie von 100 keV implantiert und so eine isolierende No-dqIn–Plane–Gate (IPG)No-dq–Linie realisiert. Der Magnetowiderstand R_xx(B) wurde entlang dieser Linie in Abh"angigkeit von der Gate–Spannung vermessen. Hierzu wurden Al_xGa_1−xAs/GaAs–Heterostrukturen verwendet, die unterschiedliche Mobilit"aten aufweisen. Eine positive bzw. negative Gate–Spannung verursacht eine h"ohere bzw. niedrigere L"angswiderstandsamplitude, und es kommt zu einer direkten Beeinflussung der Randkan"ale. Dies f"uhrt zu einer verst"arkten Kopplung zwischen den Randzust"anden und resultierend daraus zu einer erh"ohten R"uckstreuung bzw. einem gr"oßeren L"angswiderstandswert. Hierzu existieren zwei Modelle, auf die n"aher eingegangen wird. Zur Untersuchung dieses Effektes wurden zwei Proben unterschiedlicher Mobilit"at verwendet. Neben der Gatespannungs–Abh"angigkeit wurde auch der Einfluß der Temperatur zwischen 32 mK und 1 K untersucht.
Diese Arbeit wurde durch den Promotionsschwerpunkt Wechselwirkungendes evangelischen Studienwerkes e. V. Villigst sowie durch das Graduiertenkolleg 50 an der Universit"at Dortmund und das Graduiertenkolleg 384 an der Universit"at Bochum gef"ordert.