Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quanten Hall Effekt

HL 16.7: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 12:00–12:15, H3

Magneto–Transportuntersuchungen von verspannungsinduzierten lateralen Übergittern — •A. Hilger¹, R.J. Luyken¹, A. Lorke¹, J.P. Kotthaus¹, C. Kadow² und A.C. Gossard² — ¹Sektion Physik, LMU, Geschwister–Scholl Pl. 1, 80539 München — ²Materials Department and QUEST, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA

Der Einfluß von Verspannungen wird mit zunehmender Verkleinerung von elektronischen Bauteilen immer wichtiger. Mit Magnetotransportmessungen untersuchen wir die Wirkung einer epitaktisch gewachsenen, kohärent verspannten InGaAs–Stressorschicht auf der Oberfläche einer GaAs–Heterostruktur. Durch einen Ätzschritt wird ein Stressorstreifengitter definiert, welches in dem darunterliegenden zweidimensionalen Elektronengas eine schwache laterale periodische Potentialmodulation induziert. Dieses Störpotential erzeugt Oszillationen im Magneto–Längswiderstand. Eine Fourieranalyse dieser “Kommensurabilitätsoszillationen” liefert die Beträge der Fourierkomponenten des effektiven Potentials bis zur achten Ordnung und erlaubt so eine detaillierte Analyse der verspannungsinduzierten Potentialform. Durch Variation der Kristallrichtung können wir den Einfluss des piezoelektrischen Effekts vom Einfluß des Deformationspotentials trennen. Die experimentellen Ergebnisse werden mit Simulationsrechnungen verglichen.