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HL: Halbleiterphysik

HL 16: Quanten Hall Effekt

HL 16.8: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:15–12:30, H3

Zyklotronresonanz und Quanten-Hall-Effekt in ungeordneten Elektronensystemen δ-dotierter GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen — •M. Widmann¹, K. Buth¹, R. Sellin^1,2, U. Merkt¹ und K. Eberl³ — ¹Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg — ²Hochfeld-Magnetlabor Grenoble, 25 rue des Martyrs, F-38042 Grenoble — ³Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, D-70569 Stuttgart

An GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen mit δ-Dotierschichten negativ geladener Berylliumakzeptoren untersuchen wir den Einfluß von Unordnung auf quasi zweidimensionale Elektronensysteme (2DES) mittels Ferninfrarotspektroskopie und Magnetotransportmessungen. Bei höheren Elektronendichten beobachten wir im magnetischen Quantenlimes (ν ≤ 1) eine bezüglich der Zyklotronfrequenz ω_c=e B/m^* verschobene Resonanzlinie, die trotz des starken Unordnungspotentials der Berylliumschicht bemerkenswert schmal ist. Wir verstehen diese Ergebnisse als Folge der Lokalisierung der Elektronen im Unordnungspotential. Die Bildung von solchen quantum Hall droplets hat auch Einfluß auf die Transporteigenschaften. Durch Präparation von Hallbarstrukturen mit großflächigen Gates können wir die 2DES gleichzeitig in der Spektroskopie und im Transport untersuchen. Parallel dazu werden konventionelle Hallbarproben mit langen Kanälen im Transport gemessen. Wir diskutieren den Zusammenhang zwischen Zyklotronresonanz, Halleffekt und longitudinaler Leitfähigkeit der ungeordneten 2DES im quantum Hall regime.