Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Quantenpunkte und Quantendr
ähte II

HL 17.2: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 10:45–11:00, H4

Messung des modalen Gewinns in InAs/GaAs-Quantenpunkt-Strukturen durch Elektroinjektion — •S. Bognár, O. Stier, F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Der modale Gewinn von Mehrfachschichten von InAs-Quantenpunkten (QD) in GaAs-Barrieren wird als Funktion der Ladungsträgerdichte bei verschiedenen Temperaturen direkt gemessen. Ausgangspunkt sind dreifach gestapelte Lagen von QD in p-n-Übergängen, die mittels MOCVD hergestellt wurden. Zur Stromführung werden Mesas von 8 µm bzw. 24 µm Stegbreite in [110]-Richtung präpariert und auf der p-Seite mit Ohmschen Streifenkontakten versehen. Diese definieren die Injektionsbereiche für eine Strichlängen-Methode, bei der die Ladungsträger nicht durch optische Anregung erzeugt werden, sondern durch Elektroinjektion. Der im Temperaturbereich von 77 K bis Raumtemperatur ermittelte modale, differentielle und Materialgewinn wird mit theoretischen Vorhersagen für thermisch gekoppelte und nicht thermisch gekoppelte QDs verglichen.