Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Quantenpunkte und Quantendr
ähte II

HL 17.8: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:15–12:30, H4

InGaAs/GaAs Quantenpunkte für 1.3 µm Lichtemitter — •F. Heinrichsdorff¹, F. Guffarth¹, M.-H. Mao¹, A. Krost^1,2, D. Bimberg¹, N. Zakharov³ und P. Werner³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin — ²Institut für experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39016 Magdeburg — ³Max-Planck Institut für Mikrostrukturphysik, 06120 Halle

Im Materialsystem InGaAs/GaAs läßt sich mit Quantenpunkten (QDs) der Spektralbereich ≥ 1.3 µm erreichen. Damit können im Gegensatz zu herkömmlichen quantum well basierten Bauelementen für diesen Spektralbereich die Vorteile der etablierten GaAs Technologie genutzt werden. Wir berichten über das MOCVD Wachstum und die Untersuchung von InGaAs/GaAs Quantenpunkten mit Emissionswellenlängen bis zu 1.42 µm (300 K) auf GaAs Substraten. Sowohl der Einfluß der Wachstumsparameter als auch der Schichtstruktur auf die optischen und strukturellen Eigenschaften werden diskutiert. Mittels TEM, AFM und Lumineszenzmessungen wird gezeigt daß der Einsatz von Nukleations-QDs zur Optimierung der strukturellen Qualität (hohe QD-Dichte, Defektreduktion) unerläßlich ist. Hierbei definieren ein bis zwei Schichten kleinerer QDs (λ= 1.1 µm) die Nukleationspunkte für eine Lage größerer QDs. Daüberhinaus werden die QD-Eigenschaften entscheidend durch die Wahl der Wachstumsparameter für die GaAs Deckschichten beeinflußt. Erste Ergebnisse von temperaturabhängigen Elektrolumineszenzmessungen bei λ ≥ 1.3 µm werden vorgestellt.