Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Photovoltaik I

HL 2.11: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 13:00–13:15, H1

Einfluss der Oberflaechenbehandlung auf die Eigenschaften von a-Si/c-Si Heterosolarzellen — •Dietmar Borchert, Reza Hussein, Guenter Grabosch und Wolfgang R. Fahrner — FerUniversitaet Hagen, Lehrgebiet Bauelemente der Elektrotechnik, Haldener Str. 182, 58084 Hagen

Die Herstellung von a-Si/c-Si Heterosolarzellen

ist mit Hilfe eines besonders einfachen Prozesse

bei Temperaturen unterhalb von 250 Grad Celsius

moeglich. Die einfachste denkbare Grundstruktur

hat die Form: Al-Rueckseitenkontakt, Substrat,

amorphe Emitterschicht, ITO-Schicht und

Sammelgrid. In unserem Labor wurden mit Hilfe

dieser Struktur Wirkungsgrade von 13.1 Prozent

auf einer Flaeche von 1cm2 und 11.9 Prozent auf

einer Flaeche von 39 cm2 erreicht. Die

Zelleigenschaften haengen dabei wesentlich von

der Prozessfolge und der Vorbehandlung der

Oberflaeche des kristallinen Substrates ab.

Es wurden verschiedene Vorbehandlungen

durchgefuehrt und ihr Einfluss auf Isc, Voc, FF

und Wirkungsgrad bestimmt. Es wurde ein fuer

diesen Zweck optimaler Vorbehandlungs- bzw.

Reinigungsprozess ermittelt.