Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 2: Photovoltaik I
HL 2.6: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, H1
Solarzellen mit gro"sem Bandabstand auf der Basis von
Cu(In,Ga)(S,Se)2 und CuGaSe2 - Vergleich der photovoltaischen und der elektrischen Eigenschaften des Hetero"ubergangs — •A. Jasenek, U. Rau, V. Nadenau, T. Magorian-Friedlmeier, and H. W. Schock — Institut f"ur Physikalische Elektronik, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart
ZnO/CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)2-Heterostrukturen zeigen bei einer
Bandl"ucke EG von 1.36 eV
mit einer Leerlaufspannungen Voc von 775 mV bessere
photovoltaische Eigenschaften als
Solarzellen mit CuGaSe2-Absorberschichten. Diese weisen trotz
einem Bandabstand von
1.68 eV lediglich 870 mV Leerlaufspannung auf. Eine Erkl"arung hierzu
liefert die Kombination
von Photoelektronenspektroskopie (PES), Admittanzspektroskopie (AS)
und Deep Level Transient
Spectroscopie (DLTS). Die Legierung Cu(In,Ga)(S,Se)2 mit einem
Ga-Gehalt von Ga/(Ga+In) von
bis zu 0.35 und einem S-Gehalt von S/(S+Se) bis zu 0.4 zeigt in der
Randschicht zum CdS eine
Typinversion, die direkt mit DLTS nachgewiesen wird. Die fehlende
Inversion in der
CuGaSe2-Heterostruktur verlagert die dominierenden
Rekombinationspfade aus dem Volumen
des CuGaSe2 in Richtung Grenzfl"ache. Mit AS k"onnen die die
Leerlaufspannung limitierenden
Rekombinationszentren direkt abgebildet werden.