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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Photovoltaik I

HL 2.7: Talk

Monday, March 22, 1999, 12:00–12:15, H1

Oberflächenmodifikation von CuInGaSe2 durch Schwefel — •I. Kötschau, A. Jasenek, U. Rau und H. W. Schock — Institut für Physikalische Elektronik, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart

Dünnschichtsolarzellen mit Absorberschichten aus Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)

haben bereits höchste Wirkungsgrade gezeigt und stehen kurz vor der industriellen Serienfertigung. In diesem Beitrag wird der Einfluss von Schwefel an der Absorberoberfläche bei CIGS-Absorbern auf deren Struktur und elektronischen Eigenschaften untersucht. Aus elektronischen Messungen [1] ist bekannt, dass unter dem Einfluss von Schwefel Defekte in der Raumladungszone kompensiert werden. Darüber hinaus kann durch den Einbau von Schwefel die Gitterkonstante des Absorbers an diejenige der Pufferschicht angepasst werden, um so ebenfalls die Defektdichte an der Grenzfläche zu minimieren. Ein weiterer Effekt von Schwefel besteht in der Erhöhung der Leerlaufspannung durch eine in Raumladungszone erhöhte Bandlücke. Es werden zwei Verfahren des oberflächennahen Schwefeleinbaus verglichen: zum einen durch Koverdampfung während der Absorberdeposition und zum anderen durch einen Nachschwefelungs-Schritt bei atmosphärischen Drücken. Strukturelle Daten, die mit Grazing Incidence Röntgendiffraktometrie und Tiefenprofilen aus Sekudärionen-Massenspektrometrie gewonnen wurden, werden mit elektronischen Messungen der Quantenausbeute und Strom-Spannungs-Kennlinien korreliert.
  [1] U. Rau, M. Schmitt, D. Hilburger, F. Engelhart, O.

Seifert, and J. Parisi, 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (IEEE, Piscataway,1996)

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