Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 20: SiC
HL 20.10: Talk
Tuesday, March 23, 1999, 18:15–18:30, H2
Untersuchungen zur Bildung des D-Zentrums in C/B bzw. Si/B coimplantiertem 4H/6H-SiC — •Thomas Frank1, Gerhard Pensl1, Adolf Schöner2 und Thomas Troffer3 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Industrial Microelectronics Center, Kista, Schweden — 3Daimler-Benz Aerospace AG, München
In 4H/6H-SiC existieren zwei Bor (B)- korrelierte Störstellen: der Bor-Akzeptor und das D-Zentrum mit Grundenergieniveaus bei EB = EV + 300 meV bzw. ED = EV + (550−750) meV. Zur Erzeugung des D-Zentrums wurden 4H/6H-SiC Proben bei konstant gehaltener Dosis mit B bei Raumtemperatur implantiert. Zur Aktivierung des D-Zentrums wurden die Proben anschließend unterschiedlichen Ausheilprozessen ausgesetzt. Ein Teil der Proben wurde direkt bei 1700∘C/30min. ausgeheilt, ein anderer Teil wurde zusätzlich einem Vortemperschritt bei 350∘C/2h bzw. 900∘C/2h unterzogen. Durch die Vortemperungen sollten gezielt intrinsische Fehlstellen (z.B. VSi, VC, ...) vermindert und deren möglicher Einfluß auf die Bildung des D-Zentrums getestet werden. Die Konzentration des D-Zentrums [D] in den ausgeheilten Proben wurde mittels DLTS bestimmt. Generell ist die beobachtete [D] in C/B-coimplantierten Proben reduziert. Die Vortemperung bei 350∘C/2h führt zu keiner signifikanten Reduzierung von [D]. Mögliche strukturelle Zusammensetzungen des D-Zentrums (BSi-VC bzw. BC-VSi)werden diskutiert. In den DLTS-Spektren der C/B-coimplantierten Proben tritt ein weiterer, unbekannter Defekt (X) bei E(X) = EV + (800−900) meV auf.