Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 20: SiC
HL 20.11: Vortrag
Dienstag, 23. März 1999, 18:30–18:45, H2
Unterdrückung der Bordiffusion in 4H-SiC durch Coimplantation von C/B bzw. thermische Vernichtung von Eigendefekten — •Michael Laube und Gerhard Pensl — Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nüernberg
Die Ionenimplantation von Bor in SiC erfordert einen Ausheilschritt bei hoher Temperatur um eine elektrische Aktivierung der implantierten Bor-Ionen und eine Beseitigung der implantationsinduzierten Gitterschäden zu erreichen. Bei den erforderlichen Ausheiltemperaturen (T>1650∘C) findet als unerwünschter Nebenprozeß Bordiffusion statt, die durch hohe Konzentration der erzeugten Eigendefekte beschleunigt wird, was zu einer starken Verbreiterung der implantierten Borprofile und zur teilweisen Ausdiffusion von Bor führt. Durch SIMS-Messungen an unterschiedlich implantierten und ausgeheilten Borprofilen wurden zwei Möglichkeiten der Reduktion der Bordiffusion beobachtet. Entweder werden durch C/B-Coimplantation die für die Bordiffusion erforderlichen interstitiellen Si-Atome (ISi) gebunden, was deren Verfügbarkeit für die Bordiffusion via kick-out Mechanismus einschränkt oder es wird durch hinreichend lange Vortemperung bei niedriger Temperatur (T=900∘C) die Konzentration der Eigendefekte (insb. ISi) durch Rekombination erniedrigt. Beide Prozesse sind geeignet, um die Bordiffusion in SiC stark zu unterdrücken.