Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.1: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 16:00–16:15, H2

Magnetische Resonanz-Untersuchungen an Sc-Akzeptoren in 6H- und 4H-SiC — •S. Greulich-Weber, M. März und J.-M. Spaeth — Universität-GH Paderborn, Fachbereich 6 -Physik, 33098 Paderborn

Die mikroskopische und elektronische Struktur des Scandium-Akzep-tors in Siliziumkarbid wird derzeit kontrovers diskutiert [1-3]. In Scandium-dotiertem 6H-SiC wurden von verschiedenen Autoren verschiedene Elek-tronen-paramagnetische Resonanz (EPR) -Spektren gefunden, welche jeweils dem isolierten Scandium-Akzeptor zugeordnet wurden [1-3]. Wir haben Scandium-dotierte 4H- und 6H-SiC-Proben mit EPR untersucht. Als der Schlüssel zum Verständnis der mikroskopischen Struktur dieses Akzeptors stellte sich die Temperaturabhängigkeit der EPR-Spektren heraus. Wir haben verschiedene EPR-Spektren zwischen 4 bis 80 K gemessen und deren Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung und von einer zusätzlichen Beleuchtung des SiC während der Messung untersucht. Wir kommen zu dem Schluss, dass alle bislang beobachteten EPR-Spektren, die dem Scandium in SiC zugeordnet wurden, zu einem einzigen Defekt gehören, dem isolierten Scandium-Akzeptor in verschiedenen Konfigurationen. Es wird ein Modell für die mikroskopische und elektronische Struktur des Scandium-Akzeptors vorgeschlagen, welches alle bekannten EPR-Spektren erklärt.

[1] P.G. Baranov et al., Phys. Sol. Stat. 38 (5) (1996)

[2] P.G. Baranov et al., Phys. Sol. Stat. 39 (1) (1997)

[3] M. März, et al., Solid State Commun. 98, 439 (1995)