Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.2: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 16:15–16:30, H2

MCDA-EPR-Untersuchungen an Strahlendefekten in SiC — •T. Lingner, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth — Universität-GH Paderborn, Fachbereich 6 -Physik, 33098 Paderborn

Es wurden Strahlendefekte in neutronen- und elektronenbestrahlten, bei verschiedenen Temperaturen ausgeheilten 6H-SiC-Proben mit Elek-tronen-paramagnetischer Resonanz (EPR), magnetischem Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA) und MCDA-EPR untersucht. Neben Lu-mineszenz- und Absorptionslinien bekannter Verunreinigungen, wie z. B. Vanadium und Titan, haben wir Linien verschiedener Strahlendefekte beobachtet. Einen Defekt, der die EPR eines axialen Spin-Triplett-Systems zeigt und einem Si-C-Lückenpaar zugeordnet wird (P6/G6 [1,2]), haben wir genauer untersucht. Mit der MCDA-EPR konnten wir erstmals drei Spektren, entsprechend den drei inäquivalenten Gitterplätzen in 6H-SiC, mit geringfügig unterschiedlichen Feinstrukturkonstanten auflösen, die jeweils verschiedenen MCDA-Linien im infraroten Spektralbereich zugeordnet werden konnten. Bislang wurde davon ausgegangen, dass es sich bei diesen Defekten um nichtstrahlende tiefe Rekombinationszentren handelt [3].

[1] V. S. Vainer, V. A Il’in, Sov. Phys. Solid State 23 (12) , 2126 (1981)

[2] N. M. Pavlov et al, Sov. Phys. Semicond. 9 845 (1975)

[3] N. T. Son et al, Materials Science Forum 264-268, 599 (1998)