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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.4: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 16:45–17:00, H2

Bestimmung von Verspannungen in 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld¹, M. Hundhausen¹, L. Ley¹ und C. Zorman² — ¹Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D91058 Erlangen — ²Department of Electrical Engineering and Applied Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, Ohio 44106, USA

Bei der heteroepitaktischen Abscheidung von SiC auf Si-Substrat treten durch unterschiedliche Gitterparameter und unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und epitaktischer Schicht biaxiale Verspannungen auf. Wir setzen die Ramanspektroskopie zur Bestimmung solcher Verspannungen ein. Freitragende SiC Membranen wurden durch Ätzen eines Fensters in das Siliziumsubstrat so hergestellt, daß sie mit Druck beaufschlagt werden konnten. Durch die druckinduzierte Auswölbung ist eine Variation der biaxialen Zugspannung möglich. Aufgrund der damit verbundenen Zunahme des Gitterparameters in der Schichtebene ergibt sich eine Verschiebung der TO- und LO-Moden im Ramanspektrum. Mit der so bestimmten Abhängigkeit der Phononenfrequenz von der biaxialen Verspannung haben wir für eine Serie von epitaktischen 3C-SiC Schichten mit unterschiedlichen Dicken die wachstumsinduzierte interne Verspannung bestimmt.