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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.7: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 17:30–17:45, H2

TEM Untersuchung der chemischen Konvertierung von Si zu SiC durch RTP — •W. Attenberger¹, J. Pezoldt², J.K.N. Lindner¹ und B. Stritzker¹ — ¹Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg — ²TU Ilmenau, Institut für Festkörperelektronik, 98684 Ilmenau

Rapid Thermal Processing ist ein erfolgversprechender Ansatz zur Bildung dünner SiC Filme auf Si Substraten. Hierbei wird in einem ersten Schritt die Si Oberfläche unter Verwendung von C₃H₈ karbonisiert. In einem nachfolgenden CVD Prozess erfolgt das Schichtwachstum unter Verwendung von C₃H₈ und SiH₄. In dieser Arbeit wird mittels Hochauflösungs Elektronenmikroskopie die Morphologie der SiC Keimschicht in verschiedenen Phasen des Karbonisierungsschrittes untersucht. Die Ergebnisse werden mit denen aus früheren Ellipsometrie, RHEED und AFM Untersuchungen verglichen. Das daraus entwickelte Wachstumsmodell wird überprüft.