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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.8: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 17:45–18:00, H2

Charakterisierung und Simulation der Dynamik der unvollständigen Ionisation von N, Al und B als Dotierstoffe in 4H/6H-SiC — •W. Kaindl, M. Lades und G. Wachutka — Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, Technische Universität München, Arcisstr. 21, D-80290 München

Bei SiC können die Ionisationszeitkonstanten der Dotierzentren, aufgrund deren tiefer energetischer Lage in der Bandlücke nicht mehr vernachlässigt werden. Numerische Simulationen zeigen den Einfluß dieser Zeitkonstanten auf das dynamische Verhalten von Bauelementen [1]. Beispielsweise kommt es zu einem Überschwingen der Raumladungszone an einem pn-Übergang, wenn die Anstiegszeit einer angelegten Sperrspannungsrampe kleiner als die Ionisationszeitkonstante des zugrundeliegenden Dotierzentrums ist. Daher ist die genaue Kenntnis der Zeitkonstanten der gängigen Dotierstoffe von SiC (N, Al und B) im anwendungsrelevanten Temperaturbereich (T>230K) von großer Bedeutung. Diese Zeitkonstanten wurden mit Hilfe von thermischer Admittanz Spektroskopie (AS) und DLTS für 4H- und 6H-SiC gemessen. Simulationen des AS-Meßprozesses zeigen, daß die Zeitkonstanten von Al nur an p⁺n-Dioden gemessen werden können, um dadurch den Einfluß des Serienwiderstands zu umgehen.

[1] M.Lades, G.Wachutka, SISPAD 98, Leuven, Belgien, 2-4.9.98