Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: SiC

HL 20.9: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 18:00–18:15, H2

Bestimmung der ordentlichen und außerordentlichen Brechzahl von 4H- und 6H-SiC mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, R. Goldhahn und G. Gobsch — TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany

Für den Entwurf von optischen und optoelektronischen Bauelementen auf der Basis von Halbleitern mit hexagonaler Kristallstruktur ist eine genaue Kenntnis der optischen Anisotropie erforderlich.

Ziel des vorliegenden Beitrages ist die Untersuchung der optisch anisotropen Eigenschaften von 4H- und 6H-SiC mittels generalisierter spektroskopischer Ellipsometrie bei Raumtemperatur. Dazu werden die ordentliche und außerordentliche Brechzahl im Spektralbereich von 1.0-5.0 eV bestimmt. Als Proben werden 1.375″ Wafer von Cree verwendet. Da die Off-Orientierung der c-Achse kleiner 10^∘ ist, werden ellipsometrische Reflexionsmessungen mit ellipsometrischen Transmissionsmessungen bei senkrechtem Einfall kombiniert. Bei den ellipsometrischen Transmissionsmessungen reagieren die ellipsometrischen Parameter Ψ und Δ besonders empfindlich auf die Differenz von ordentlicher und außerordentlicher Brechzahl, während die absolute Brechzahl aus den ellipsometrischen Reflexionsmessungen über einen weiten Einfallswinkelbereich bestimmt wird.

Die Ergebnisse werden diskutiert und mit Resultaten anderer Autoren verglichen.