HL 20: SiC
Dienstag, 23. März 1999, 16:00–19:00, H2
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16:00 |
HL 20.1 |
Magnetische Resonanz-Untersuchungen an Sc-Akzeptoren in 6H- und 4H-SiC — •S. Greulich-Weber, M. März und J.-M. Spaeth
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16:15 |
HL 20.2 |
MCDA-EPR-Untersuchungen an Strahlendefekten in SiC — •T. Lingner, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
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16:30 |
HL 20.3 |
Epitaktische Siliziumdioxid-Monolagen auf (0001) und (0001) Oberflächen von SiC — •J. Bernhardt, J. Schardt, U. Starke und K. Heinz
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16:45 |
HL 20.4 |
Bestimmung von Verspannungen in 3C-SiC mit Ramanspektroskopie — •S. Rohmfeld, M. Hundhausen, L. Ley und C. Zorman
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17:00 |
HL 20.5 |
Reaktivierung von Wasserstoff-passivierten Aluminium-Akzeptoren in Siliziumkarbid — •Christian Hülsen, Norbert Achtziger, Jan Herold und WolfgangA Witthuhn
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17:15 |
HL 20.6 |
Radiotracer-DLTS an Tantal in 4H-Siliziumkarbid — •Joachim Grillenberger, Norbert Achtziger, Fanny Albrecht, Gunnar Pasold, Reiner Sielemann und Wolfgang Witthuhn
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17:30 |
HL 20.7 |
TEM Untersuchung der chemischen Konvertierung von Si zu SiC durch RTP — •W. Attenberger, J. Pezoldt, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
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17:45 |
HL 20.8 |
Charakterisierung und Simulation der Dynamik der unvollständigen Ionisation von N, Al und B als Dotierstoffe in 4H/6H-SiC — •W. Kaindl, M. Lades und G. Wachutka
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18:00 |
HL 20.9 |
Bestimmung der ordentlichen und außerordentlichen Brechzahl von 4H- und 6H-SiC mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, R. Goldhahn und G. Gobsch
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18:15 |
HL 20.10 |
Untersuchungen zur Bildung des D-Zentrums in C/B bzw. Si/B coimplantiertem 4H/6H-SiC — •Thomas Frank, Gerhard Pensl, Adolf Schöner und Thomas Troffer
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18:30 |
HL 20.11 |
Unterdrückung der Bordiffusion in 4H-SiC durch Coimplantation von C/B bzw. thermische Vernichtung von Eigendefekten — •Michael Laube und Gerhard Pensl
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18:45 |
HL 20.12 |
Bestimmung der Quasiteilchenbandstruktur von c-SiC mit dem SAPW-GWΓ-Verfahren — •Gregor-Martin Fehrenbach und Helmut Bross
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