Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Optische Eigenschaften I

HL 21.2: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 16:15–16:30, H3

Optische Interbandspektroskopie an β / FeSi₂ mit Cr-Beimengungen — •M. Rebien und W. Henrion — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

An dünnen β / FeSi₂–Schichten mit unterschiedlichen Cr-Beimengungen wurden UV–VIS–NIR ellipsometrische sowie photometrische (R,T) Messungen durchgeführt. Es wurden durch Molekularstrahl-Epitaxie sowie durch Ionenimplantation auf Si(100) und Si(111) Substraten hergestellte Schichten untersucht.
In den optischen Spektren (<ε₁>,<ε₂>, R) wurde bei kleinen Cr-Gehalten bis zu etwa 0,4 at% lediglich eine Reduzierung der Absolutwerte infolge einer Dichteverringerung gefunden. Die Übereinstimmung der Peaklagen für beide Substratorientierungen deutet auf eine Beeinflussung des β / FeSi₂-Wachstums auf Si(111)-Substrat durch Cr hin. Körner mit der Orientierung β-FeSi₂(100)|| Si(100) wachsen stark bevorzugt. Bei höheren Cr-Gehalten bis zu 5 at% treten dagegen CrSi₂-Ausscheidungen verbunden mit einer deutlichen Verschlechterung der Morphologie auf. Die Spektren dieser Schichten können dementsprechend durch ein Maxwell-Garnett Effektiv-Medium modelliert werden.