Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 21: Optische Eigenschaften I

HL 21.6: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 17:15–17:30, H3

Dielektrische Funktion fuer den Quantum-Confined Stark-Effekt eines Al(x)Ga(1-x)As/ GaAs-MQW-Mikroresonators gewonnen mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Alexander Singer¹, S. Nassauer¹, J. Borgulova², B. Rheinlaender¹, J. Kovac², V. Gottschalch³ und M. Schubert¹ — ¹Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — ²Slovac University of Technology Bratislava — ³Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Chemie und Mineralogie, Linnestr. 5, 04103 Leipzig

Aus ellipsometrischen Spektren wurde die optisch-dielektrische Funktion (ODF) des GaAs-Quantengrabens in Al(x)Ga(1-x)As/GaAs-MQW-Strukturen mit und ohne umgebenden Mikroresonator fuer verschiedene elektrische Felder im Quantengraben (QCSE) bestimmt. Mittels einer Transfermatrix-Methode wurden die fuer die Gesamtstruktur berechneten Spektren an die gemessenen angepasst. Fuer die dielektrische Funktion des Quantengrabens diente ein erweiterter Adachi-Formalismus fuer GaAs-Volumenmaterial mit additiven Oszillator-Beitraegen fuer die Quantengrabenexcitonen. Beitraege zur ODF mit Energien hoeher als die fundamentale Bandkante des GaAs haben einen wesentlichen Einfluss auf die Resonatoreigenschaften. In den Oszillator-Parametern fuer den Quantengraben im Mikroresonator spiegelt sich der QCSE des resonatorfreien Falls wider. Die ermittelte ODF erlaubt auch die Beschreibung der gemessenen Spektren der polarisierten Reflexion unter QCSE-Einfluss.