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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.11: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 18:30–18:45, H4

Leitfähigkeitsuntersuchungen an lateral geätzten AlGaAs Heterostrukturen — •L. Worschech, F. Beuscher, D. Hoffmann, B. Weidner, M. Emmerling und A. Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Transportuntersuchungen an Quantendrähten mit einer Breite von 130 nm und Längen bis zu 20 µ m wurden für hochbewegliche AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen durchgeführt. Eine Leitfähigkeitsquantisierung konnte noch bei einer Temperatur von 30 K beobachtet werden. Die Energieaufspaltung zwischen den eindimensionalen Subbändern wurde anhand von Temperaturabhängigkeitsmessungen und dem Anlegen einer Spannungsdifferenz entlang des Quantendrahtes bestimmt. Die Subbandaufspaltung beträgt bis zu 15 meV. Anhand unserer Ergebnisse zeigt sich, daß aufgrund der Güte der geätzten Strukturen ein ballistischer Transport in Quantendrähten beobachtet werden kann, der der elastischen Weglänge eines Elektrons im zweidimensionalen Elektronengas entspricht. In jüngster Zeit wurden mit Hilfe der Elektronenstrahllithographie ringförmige Leiter hergestellt, an denen eine komplexe Leitfähigkeitsquantisierung beobachtet wurde.