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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.1: Vortrag

Dienstag, 23. März 1999, 16:00–16:15, H4

Quantenpunktkontakte mit großem Subbandabstand — •M. Versen¹, S. Skaberna¹, K.H. Schmidt¹, U. Kunze¹, D. Reuter² und A.D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 IC2, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 NB03, D-44780 Bochum

In einer MBE gewachsenen δ-dotierten Al_xGa_1−xAs/GaAs Heterostruktur ist ein Quantenpunktkontakt hergestellt worden: Das 30nm unter der Oberfläche befindliche zweidimensionale Elektronengas (2DEG) wurde durch Lithografie mit dem Rasterkraftmikroskop und anschließendes naßchemisches Ätzen so strukturiert, daß ein 50nm × 50nm großer Steg die durch Nuten getrennten Elektronengase verbindet. Das Aufdampfen eines 4 × 6 µ m² großen Au-Gatekontaktes komplettierte die MODFET-Anordnung. Mittels Lock-In-Technik wurde der Kanalleitwert als Funktion der Gatespannung aufgenommen. Im Leitwert beobachtet man vier deutliche Plateaus, die den Stufen der quantisierten Leitfähigkeit in Vielfachen von 2 e²/h entsprechen.