Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.2: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 16:15–16:30, H4

Einfluß der Quantenpunktgröße auf die Rekombinationslebensdauer in verspannungsinduzierten Halbleiterquantenpunkten — •W. Helfer¹, G. von Plessen¹, J. Feldmann¹, H. Lipsanen², M. Sopanen² und J. Ahopelto³ — ¹Lehrstuhl für Photonik und Optoelektronik, Universität München, Amalienstr. 54, 80799 München — ²Optoelectr. Laboratory, Helsinki Univ. of Technology, Finnland — ³VTT Electronics, 02150 Espoo, Finnland

Wir untersuchen das Photolumineszenz-Abklingverhalten verspannungsinduzierter InGaAs-Quantenpunkte auf seine Abhängigkeit von der effektiven Quantenpunktgröße. In der untersuchten Probenserie wurden die Tiefe und Krümmung des verspannungsinduzierten Einschlußpotentials und somit die räumliche Ausdehnung der Wellenfunktion über den einstellbaren Abstand zwischen dem InGaAs/GaAs-Quantenfilm und den InP-Stressoren variiert. Zeitkorrelierte Einzelphotonzählmessungen zeigen, daß die Photolumineszenz-Abfallzeiten und somit die Rekombinationslebensdauern von der Größe der Quantenpunkte abhängen. Das experimentelle Ergebnis wird mit theoretischen Vorhersagen verglichen.