Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Quantenpunkte und Quantendr
ähte III

HL 22.7: Talk

Tuesday, March 23, 1999, 17:30–17:45, H4

Lateraler Transport durch InAs-Quantenpunkte im IPG-Tran-sistor — •P. Schafmeister¹, M. Versen², K.H. Schmidt², D. Reuter¹, U. Kunze² und A.D. Wieck¹ — ¹Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 NB03, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr Universität Bochum, Universitätsstr. 150 IC2, D-44780 Bochum

Selbstorganisierte InAs-Quantenpunkte wurden in eine Al_xGa_1−xAs /GaAs-Heterostruktur 10nm vom zweidimensionalen Elektronengas entfernt eingebettet. Mit Hilfe der Implantation von fokussierten Ga-Ionen konnte ein In-Plane-Gate (IPG) Transistor mit einer geometrischen Kanalweite von 1 µ m realisiert werden. Durch die lateralen Gates läßt sich die Breite des stromführenden Bereiches, die sogenannte effektive Kanalweite, steuern. Nimmt man im fast abgeschnürten Zustand eine effektive Kanalweite von 200nm und eine Kanallänge von 1 µ m an, so befinden sich bei einer Quantenpunktdichte von 1.2· 10¹⁰ cm⁻² etwa 20 Quantenpunkte im stromführenden Kanalbereich. Es wurde der Kanalleitwert als Funktion der Gatespannungen bestimmt. Referenzproben ohne Quantenpunkte haben eine steile und glatte Öffnungscharakteristik. Quantenpunktproben dagegen zeigen noch vor dem Öffnen des Kanals Strukturen, die vermutlich durch resonantes, laterales Tunneln durch diskrete Quantenpunktzustände hervorgerufen werden.