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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.102: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Drahtl"angenabh"angigkeit der LO–Phononeigenschaften in
Cd_xZn_1−xSe–Quantendr"ahten — •B. Schreder¹, A. Materny¹, W. Kiefer¹, T. K"ummell², G. Bacher², A. Forchel², and G. Landwehr² — ¹Institut f"ur Physikalische Chemie der Universit"at W"urzburg, Am Hubland, D–97074 W"urzburg — ²Physikalisches Institut der Universit"at W"urzburg, Am Hubland, D–97074 W"urzburg

Quantendr"ahte aus verschiedenen II–VI–Halbleitern waren in den letzten Jahren Gegenstand vieler wissenschaftlicher Untersuchungen, die sich vor allem mit dem Auftreten von neuen drahtgr"o"senabh"angigen elektronischen und Schwingungseigenschaften befa"st haben. Die hier untersuchten Cd_xZn_1−xSe/ZnSe–Proben wurden "uber MBE–Wachstum und na"s–chemisches "Atzen hergestellt und bestehen aus mehreren Feldern von 100x100 µm² Gr"o"se, welche Dr"ahte mit genau definierter L"ange und Breite enthalten. Die Raman-Spektren der Dr"ahte zeigen jeweils eine asymmetrische Bande bei niedriger Cd–Konzentration bzw. zwei Banden bei hoher Cd–Konzentration f"ur das ZnSe–Phonon und das ZnSe–"ahnliche Phonon. Bei einer Verk"urzung der Drahtl"ange wurde eine Verschiebung der Raman–Bande des ZnSe–"ahnlichen Phonons bzw. das Erscheinen einer neuen Bande an der niederenergetischen Flanke des ZnSe–"ahnlichen Phonons festgestellt. Das Auftreten dieser neuen Bande zeigt deutlich den Einflu"s der zur Phononausbreitungsrichtung senkrecht stehenden Seitenfl"achen des Drahtes: W"ahrend in den quasi–eindimensionalen Dr"ahten sich das Phonon parallel zu den relaxierten Seitenfl"achen in Zonen gleicher Gitterkonstante bewegt, findet in den Drahtst"ucken und Quantenpunkten durch die zum Rand hin zunehmende Relaxation des verspannten Gitters eine schrittweise Erh"ohung der Gitterkonstante in Phononausbreitungsrichtung statt.