Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.104: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Untersuchung zur elektronischen und strukturellen Modifizierung von InAs- und InSb-Oberflächen nach dem reaktiven Ionenstrahlätzen mittels Ramanspektroskopie — •Frank Frost1, Gerd Lippold2, Axel Schindler1 und Frieder Bigl1 — 1Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstr. 15, D-04318 Leipzig — 2Universität Leipzig, Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Institut für Experimentalphysik II, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig
Im Rahmen dieser Arbeit wurden die durch das (reaktive)
Ionenstrahlätzen (RIBE) hervorgerufenen elektronischen
und strukturellen Schäden an InAs- und InSb-Oberflächen sehr
oberflächensensitiv mittels Resonanz-Ramanspektroskopie unter
Verwendung verschiedener Rückstreugeometrien untersucht.
Die Untersuchungen zeigten, daß es bei beiden Materialien
unabhängig von den Prozeßparametern Ionenenergie (200 eV
bis 750 eV) und Gaszusammensetzung (N2 bzw. Ar)
immer zur Ausbildung von defekt-induzierten
Elektronen-Akkumulationsschichten an den jeweiligen
Oberflächen kommt.
Die Elektronenkonzentration in diesen Schichten sowie deren
Ausdehnung nimmt für kleinere Ionenenergien ab und ist
abhängig vom verwendeten Prozeßgas.