Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.22: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchung von kurzreichweitigen Ordnungsphänomenen in (AlGa)As mittels Cross-Sectional STM — •A.J. Heinrich¹, M. Wenderoth¹, T.C.G. Reusch¹, K.J. Engel¹, K. Sauthoff¹, R.G. Ulbrich¹, E.R. Weber² und K. Uchida³ — ¹4. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²Dep. Mat. Sci., Universtity of California, Berkeley — ³Tsukuba National Lab., Tsukuba, Japan

Die Aluminiumverteilung von Al_0.15Ga_0.85As/GaAs Heterostrukturen, hergestellt mit Metall Organischer Gasphasen Epitaxie (MOVPE), wurde mit Hilfe der UHV-Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie an der im UHV senkrecht zur Grenzfläche gespaltenen Probe untersucht. Charakteristische Kontraste in der atomar aufgelösten STM-Topographie wurden als einzelne Al-Atome und Al-Cluster identifiziert. Auf Basis dieser Analyse wurden die STM-Daten in 20nm x 20nm Karten der atomaren Positionen (Atomkarte) übertragen. Diese experimentell gefundenen Atomkarten wurden mit der Simulation einer binomialen Al-Verteilung verglichen. Dabei zeigten sich statistisch signifikante Abweichungen in den n-te Nachbar-Korrelationsfunktionen. Wir erklären diese Abweichungen mit der klaren Tendenz der Al-Atome, beim MOVPE-Wachstum kurzreichweitige geordnete Strukturen zu bilden. Diesen Effekt beobachten wir in Form von Al-Ketten, die eine Länge von bis zu 5 Al Atomen in niederindizierten kristallographischen Richtungen haben.