Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.24: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Defektsimulation in kubischen Halbleitern und Berechnung der PAC-Spektren — •T. Dessauvagie¹, P. Friedsam¹, R. Vianden¹ und A. Byrne² — ¹Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Nußallee 14-16, 53115 Bonn, Germany — ²Department of physics, Australian National University, Canberra ACT 0200, Australia

PAC-Spektren von „as-implanted"4-Proben finden normalerweise in der Endauswertung wenig Beachtung. Der übliche Ansatz zur Beschreibung solcher PAC-Spektren von geschädigten Einkristallen durch Gauss- oder Lorentzverteilungen führt in der Regel zu einer unzureichenden Beschreibung mit größtenteils unphysikalischen Parametern. Daher wurde eine Simulation solcher Spektren versucht. Das Prinzip besteht darin, einen Halbleitereinkristall mit statistisch verteilten Sonden und statistisch verteilten Punktdefekten zu simulieren. Durch eine Monte-Carlo-Routine werden dann Punktdefekte in einem kubischen Volumen (etwa ≈500.000 Si-Atome) um einen Sondenkern (¹¹¹In) simuliert. Hierfür wird der resultierende elektrische Feldgradient im Punktladungsmodell und aus diesem die Störfunktion berechnet. Durch Mittelwertbildung der für die individuellen Defektkonfigurationen berechneten Störfunktionen erhält man die Gesamtstörfunktion. Simulationen für Defekt/Sondenkern-Verhältnisse von 1 bis 10³ wurden durchgeführt und mit „as-implanted"4 Spektren von Si, Ge und verschiedenen III-V-Halbleitern verglichen. Es zeigte sich, daß die simulierten Spektren sich nicht mit den üblichen Routinen fitten lassen. Deswegen ist es wahrscheinlich, daß man Aussagen über Defektladung, -verteilung und -konzentration machen kann, indem man gemessene Spektren von geschädigten Einkristallen mit den simulierten Spektren vergleicht.