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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.25: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Diffusion von Iridium in Silizium — •S. Obeidi und N.A. Stolwijk — Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

Seit mehreren Jahren hat sich herausgestellt, daß Untersuchungen der Diffusion von metallischen Fremdelementen wie z. B. Au oder Pt in Si wertvolle Informationen über die Si–Eigendefekte liefern können. Aufgrund seiner chemischen Verwandtschaft mit oben genannten Elementen ist ähnliches für Ir zu erwarten. Darüber hinaus ist Ir für den Nachweis mittels Neutronenaktivierung (NAA) hervorragend geeignet und besitzt für „spreading resistance profiling“ (SRP) günstige elektrische Eigenschaften. Erste NAA– und SRP–Messungen zeigen eine sehr schnelle Ir–Diffusion, die in Verbindung mit dem überwiegend substitutionellen Einbau auf einen interstitiell–substitutionellen Mechanismus schließen läßt. Die beobachteten Schwankungen in den Konzentrations–Weg–Profilen weisen auf die Bildung diffusionsinduzierter Defekte hin.