Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.36: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
HREELS und XPS Untersuchungen der (3x3) und (√3x√3)R30o Oberflächenstrukturen von SiC(0001) — •S. Sloboshanin1, F.S. Tautz1, V. Polyakov1, U. Starke2 und J.A. Schaefer1 — 1Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — 2Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7, 91058 Erlangen
Wir haben die strukturellen und vibronischen Eigenschaften der (3x3) und (√3x√3)R30o Oberflächenstrukturen von SiC(0001) mittels hochauflösender Elektronenenergie Verlustspektroskopie (HREELS), röntgenangeregter Photoelektronenspektroskopie (XPS) und Beugung langsamer Elektronen (LEED) untersucht. Für die (√3x√3)R30o und (3x3) Überstrukturen werden die existierenden Modelle, namentlich Si-Adatome auf der obersten Si-terminierten Bilage bzw. Si-Adcluster auf einer kompletten Si-Adlage, bestätigt. XPS-Messungen für normale und streifende Detektion zeigen, daß die obengenannten Oberflächenstrukturen ausschließlich aus Si-Atomen bestehen. Das bestätigen auch die HREELS-Messungen auf den beiden mit Wasserstoff behandelten Oberflächen, in denen auf beiden Oberflächenphasen nur Si-H Streckschwingungen sichtbar sind. Vergleichende Untersuchungen der Fuchs-Kliewer Phononen auf beiden Oberflächenphasen und in Abhängigkeit von der Primärenergie werden ebenfalls diskutiert.