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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.37: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Bestimmung der dielektrischen Funktion verschiedener SiC-Modifikationen mittels Ellipsometrie im Spektralbereich von 2.5eV bis 10eV — •C. Cobet¹, T. Wethkamp², K. Wilmers², G. Edwards³, N. Esser¹ und W. Richter¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Stuttgart — ³IFM/Materiefysik, Linköpings Universitet

Kristallines SiC kann in einer sehr großen Anzahl verschiedener Polytypen vorliegen. Alle Polytypen sind indirekte Halbleiter, deren fundamentale Bandlücken zwischen 2 und 4eV liegen. Die für Strukturen in der dielektrischen Funktion wesentlichen direkten Interbandübergänge treten dagegen erst oberhalb von 5eV auf und erstrecken sich bis etwa 12eV. Dieser Spektralbereich ist Ellipsometern mit herkömmlichen Lichtquellen nicht zugänglich. Experimentelle Daten über die dielektrische Funktion von SiC im Bereich der Interbandübergänge sind deshalb nur vereinzelt vorhanden und resultieren zumeist aus Reflexionsmessungen. Durch die Verwendung von Synchrotronstrahlung am BESSY (Berliner Elektronenspeicherring für Synchrotronstrahlung ) kann die dielektrische Funktion im Spektralbereich von 2.5eV bis 25eV gemessen werden.

In dieser Arbeit wurde die effektive dielektrische Funktion der hexagonalen SiC-Polytypen 4H und 6H sowie der kubische 3C Modifikation bestimmt. Die charakteristischen Strukturen der verschiedenen Polytypen wurden im Spektralbereich 2.5 - 10eV mit Ergebnissen aus Bandstrukturrechnungen verglichen.