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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.42: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Lokale Anodische Oxidation an Metallen und zweidimensionalen Elektronengasen — •U.F. Keyser¹, H.W. Schumacher¹, U. Zeitler¹, R.J. Haug¹ und K. Eberl² — ¹Inst. f. Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — ²MPI-FKF, Heisenbergstr.1 D-70569 Stuttgart

Wir nutzen ein Rasterkraftmikroskop (AFM) mit leitfähiger Spitze zur lokalen anodischen Oxidation (LAO) von Metall- und Halbleiter-oberflächen. Die Oxidation der Oberfläche führt zu einer Modifikation der elektronischen Eigenschaften des darunterliegenden Materials. So ist es möglich, an dünnen Schichten leitfähiger Materialien sowohl Tunnelbarrieren, als auch vollständig isolierende Bereiche zu erzeugen. Während der Durchführung der Experimente konnten der elektrische Widerstand der im AFM kontaktierten Proben sowie die Strukturierungsparameter (Strom, Spannung, Spitzenauslenkung und -Torsion) gemessen werden, um so auf die Eigenschaften der erzeugten Barrieren schließen zu können. Unsere Experimente wurden an zwei verschiedenen Modellsystemen durchgeführt: dünnen Ti-Schichten und GaAs/GaAlAs-Heterostruk-turen. Die an beiden Systemen durch LAO hergestellten Barrieren wurden durch elektrische Messungen bei verschiedenen Temperaturen charakterisiert. Aus den während der Strukturierung gemessenen Parametern (z.B. Strom) können Rückschlüsse auf die Strukturierungsprozesse gezogen werden.