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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.44: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Ortsaufgelöste optische Charakterisierung von AlGaAs-Schichten auf (100)/(111)A-strukturierten (100)-GaAs-Substraten — •D. Keppeler, K. Bitzer, W. Limmer und R. Sauer — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm

Die Materialzusammensetzung und Ladungsträgerdichte dreier auf strukturierten (100)-GaAs-Substraten gewachsenen AlGaAs-Schichten werden untersucht. Mittels Festquellen-MBE wurden eine einfache AlGaAs-Schicht, eine Silizium-dotierte AlGaAs-Schicht und eine AlGaAs/GaAs/AlGaAs-Quantentopfstruktur aufgebracht. Aus ortsaufgelösten PL- und Raman-Scan-Messungen werden Rückschlüsse auf den Aluminium-Gehalt, die Ladungsträgerdichte und die Breite des Quantentopfes getroffen. Die bisherigen Messungen zeigen folgende Abhängigkeiten entlang des (100)/(111)A/(100)-Facettenüberganges: der Al-Gehalt nimmt um bis zu 6 Prozent auf der 5 µm breiten (111)A-Facette ab und die Quantentopfbreite verringert sich. Diese Ergebnisse dienen u.a. der Abschätzung der Diffusionslänge von Gallium beim Wachstum und somit als Grundlage für die Herstellung von Quantendrähten in V-Gräben.