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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.46: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Optische und elektrische Charakterisierung von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs Quantendrähten in V-Gräben — •A. Schwarz¹, A. Kaluza¹, Th. Schäpers¹, Ch. Dieker¹, H. Hardtdegen¹, H. Lüth¹, A.C. Maciel², J. Kim² und J.F. Ryan² — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH — ²Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford

Das Wachstum von modulationsdotierten Halbleiterheterostrukturen auf V-förmig vorstrukturierten Substraten erlaubt die Definition selbstorganisiert gewachsener Strukturen mit epitaktisch definierten Grenzflächen. Photolumineszenzuntersuchungen bestätigen dabei die anhand von TEM- und AFM-Aufnahmen zu vermutende Ausbildung niedrigdimensionaler Elektronensysteme, wobei zeitaufgelöste Messungen sowie Polarisationseffekte insbesondere die Existenz eines Quantendrahtes in der Spitze des V-Grabens betonen.

Durch die Verwendung alternativer metallorganischer Quellen ist es möglich, einzelne V-Graben-Strukturen ohne die Nachteile des selektiven Wachstums elektrisch zu trennen und zu untersuchen. Photolumineszenzmessungen unter Variation des Stromes durch die Probe zeigen, daß der elektrische Transport nicht ausschließlich im Quantendraht stattfindet. Magnetotransportmessungen mit verschiedenen Orientierungen der Probe zum Magnetfeld erlauben es, Aussagen über den Ursprung der beobachteten Shubnikov de Haas-Oszillationen zu treffen.