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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.49: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Photostrommessungen an einzelnen InGaAs-Quantenpunkten — •E. Beham, A. Zrenner, G. Böhm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Die optische Absorption einzelner Quantenpunkte wird mittels Photostromspektroskopie beobachtet. Selbstorganisierte InGaAs Quantenpunkte, die in der i-Schicht einer p-i-GaAs-Struktur eingebettet sind, werden mit Hilfe eines Titan-Saphir-Lasers resonant angeregt. Die zur selektiven Kontaktierung einzelner Quantenpunkte notwendige Ortsauflösung wird durch eine STM-Spitze erreicht, die an der Halbleiteroberfläche einen lokalen Schottky-Kontakt herstellt. Eine zwischen STM-Spitze und p-Probenrückkontakt angelegte Spannung führt zu einem lokalen elektrischen Feld im Bereich einzelner Quantenpunkte. Optisch erzeugte Ladungsträger können daher getrennt werden. Diese Ladungsträger werden im Photostrom detektiert. Dieser liegt in der für einen einzelnen Quantenpunkt erwarteten Größenordnung. In spektral aufgelösten Photostrommessungen beobachten wir schmale Linien, die der Absorption einzelner Quantenpunkte zugeordnet werden. Bei Variation des internen elektrischen Feldes tritt ein Stark-Effekt auf.