Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.54: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Biexzitonen in niederdimensionalen Zn_1−xCd_xSe/ZnSe Quantenstrukturen. — •Frank Gindele¹, Konstanze Hild¹, Wolfgang Langbein¹, Jørn M. Hvam², Karlheinz Leonardi³, Detlef Hommel³ und Ulrike Woggon¹ — ¹Institut für Physik, Universität Dortmund — ²Mikroelektronik Centret, Technical University of Denmark, DK-2800 Lyngby — ³Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

In niederdimensionalen Zn_1−xCd_xSe/ZnSe-Quantenstrukturen, die mittels migration enhanced epitaxy (MEE) einiger Monolagen CdSe zwischen ZnSe Barrieren gewachsen sind, ist bei resonanter Anregung der Zwei-Photonen-Absorptionsprozeß deutlich zu beobachten. In Photolumineszenz (PL)-Experimenten zeigt sich nach der Zwei-Photonen-Absorption, symmetrisch zur Anregungsenergie, eine Doppelstruktur entsprechend der strahlenden Übergänge Exziton-Grundzustand und Biexziton-Exziton. Dieser Prozeß läßt sich aufgrund der geringen Zustandsdichte lokalisierter Exzitonen nachweisen. Intensitäts- und polarisationsabhängige Messungen bestätigen den biexzitonischen Charakter des niederenergetischen Übergangs. Eine Biexzitonenbindungsenergie von ca. 20 meV belegt die starke Quantisierung der Elektron-Loch Paare. Vier-Wellen-Misch-Experimente bestätigen die hohe Bindungsenergie. Das dynamische Verhalten wird in zeitaufgelösten PL-Experimenten untersucht und entspricht dem zugrundeliegenden Rekombinationsmodell. Das Exziton zerfällt mit ca. der doppelten Zerfallszeit des Biexzitons. Optische Spektroskopie mit hoher räumlicher Auflösung zeigt einzelne exzitonische und biexzitonische Zustände, sowie weiterer Mehrexzitonenübergänge.