Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.56: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Charakterisierung von InP/(GaIn)P Quantenpunkt-Systemen mittels Mikro-PL — •P. G. Blome1, U. Kops1, R. G. Ulbrich1, A. Ruf2 und F. Scholz2 — 1IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — 24. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart
Beim Aufwachsen von InP auf GaInP mittels MOVPE kommt es aufgrund der
hohen Verspannungen zum Stranski-Krastanov (SK) Wachstum. Dabei
entstehen einige nm große Quantenpunkte und
der sog. Wettinglayer.
Mit einem hochauflösenden konfokalen Mikroskop (Auflösung ca. 500 nm)
haben wir die opischen Eigenschaften
sowohl der SK-Quantenpunkte als auch des Wettinglayers untersucht.
Photolumineszenz(PL)-Messungen von individuell abgebildeten
SK-Quantenpunkten zeigen gleichzeitig mehrere
Energieniveaus.
Diese Spektren werden
mit theoretischen Vorhersagen [1] verglichen.
Die Lumineszenzbande des Wettinglayers zerfällt durch die hohe
räumliche Auflösung in einzelne Linien,
die ihren Ursprung in Ladungsträgerlokalisierungen haben, wie man sie
von
Dickenfluktuationen an Quantentrögen kennt.
Durch Variation eines angelegten Magnetfeldes (bis 14 T) und der
Temperatur(3-60 K) während der PL-Messungen können wir
qualitative Aussagen über die Struktur dieser zusätzlichen
Quantenpunkte machen. Der Vergleich der Spektren an
verschiedenen Orten erlaubt Aussagen über ihre Verteilung.
[1] C. Pryor et al., Phys. Rev. B 56(16), 10404 (1981) Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gefördert.