Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.61: Poster
Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z
Beeinflussung der Randkanalstreuung mittels Ionenstrahl geschriebener und mechanisch geritzter Ränder an Quanten-Hall-Systemen — •Christian Heidtkamp, Sabine Gargosch, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum
Sowohl durch Ionenstrahlimplantation als auch durch mechanisches Ritzen wurden In-Plane Gates auf Hallbarstrukturen geschrieben. Als Schichtsystem dienten GaAs/AlxGa1−xAs-Heterostrukturen.
Magnetfeldabhängige Messungen bis zu 5 T bei 1 K zeigen eine deutliche Abhängigkeit der Maxima des Längswiderstands Rxx entlang des Gates von der über das Gate angelegten Spannung. Dieses Verhalten kann durch eine Abhängigkeit des Randpotentials entlang des Gates von der Gatespannung und einer damit verbundenen Abhängigkeit der Abstände der Randkanäle zueinander erklärt werden: Durch eine Variation des Abstands benachbarter Randkanäle wird die Streuung zwischen den Kanälen beeinflußt.
Einer von uns (C.H.) wird dankenswerterweise durch das Graduiertenkolleg 50 „Festkörperspektroskopie“ der Universität Dortmund gefördert.
Eine von uns (S.G.) wird dankenswerterweise durch das evangelische Studienwerk e.V. Villigst Promotionsschwerpunkt „Wechselwirkung“gefördert.
Einer von uns (D.R.) wird dankenswerterweise durch das Graduiertenkolleg 384 „Nanoelektrische, mikromechanische und mikrooptische Systeme“ der Ruhr-Universität Bochum gefördert.