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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.63: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Elektronenstrahllithografie bei niedrigen Energien zur Herstellung von Strukturen unter 100 nm in Silizium — •K. Schädler, U. Wieser und U. Kunze — Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

Es wird ein Verfahren zur naßchemischen Nanostrukturierung von Silizium vorgestellt. Die Siliziumprobe wird durch thermische Oxidation mit einer ca. 1 nm dicken SiO₂-Schicht versehen. Darauf wird ein Polymethylmethacrylat- (PMMA-)Film von weniger als 50 nm Dicke aufgebracht. Die Lithografie erfolgt mittels Elektronenstrahl bei Energien von maximal 5 keV. Die Struktur wird anschließend durch Ätzen des Oxidfilms in Flußsäure (HF) und nachfolgendes anisotropes Ätzen in Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) in das Silizium übertragen.Dank der niedrigen Prozeßtemperaturen von maximal 500^∘ C ist das Verfahren ohne Modifikation auch auf Si/SiGe-Heterostrukturen anwendbar.