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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.64: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Nanolithografie von GaAs-AlGaAs-Heteroschichten mittels Rasterkraftmikroskop und naßchemischen Ätzen durch Brom-Methanol-Isopropanol — •S. Skaberna¹, M. Versen¹, U. Kunze¹, D. Reuter² und A.D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Gebäude IC 2, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Gebäude NB 03, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum
Zur Herstellung von Quantenbauelementen auf der Basis von GaAs ist eine Lithografietechnik erforderlich, mit der laterale Strukturen deutlich unter 100 nm definiert werden und sich in GaAs bzw. GaAs-AlGaAs-Heteroschichten übertragen lassen. Bei der dynamischen Pflügetechnik mit dem Rasterkraftmikroskop wird ein sehr dünner Fotolack (5 nm) durch eine vibrierende Spitze so verdrängt, daß in den Furchen Brom-Methanol-Isopropanol die GaAs-Oberfläche angreifen kann und eine Nut geätzt wird. Dieses Ätzgemisch zeichnet sich durch eine besonders hohe Anisotropie aus, aber erst durch den Isopropanolanteil kann der dünne Fotolack als Maske standhalten. Die Technik hat den Vorteil einer sehr schonenden Oberflächenbehandlung, das Material erleidet keine weiteren Schäden und das Potential bzw. das Elektronsystem wird nur im Bereich der Nanostrukturen beeinflußt. Demonstriert wird hier die starke Anisotropie des Ätzgemisches Brom-Methanol-Isopropanol auf nm-Skala, die Kontrolle der Ätztiefe und damit die Möglichkeit, präzise Nuten auch auf einer Mesa zu ätzen mit der Möglichkeit zur Herstellung von Quantenpunktkontakten.