Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.69: Poster
Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z
Charakterisierung von ohmschen Kontakten auf p-GaN mittels Circular Transmission-Line-Method — •M. Schwitters1, M.T. Hirsch1, O. Seifert1, U. Strauß2, V. Härle2, H. Bolay2 und J. Parisi1 — 1Fachbereich Physik, Universität Oldenburg, Carl von Ossietzky Straße 9-11, D-26111 Oldenburg — 2Siemens AG Halbleiter 93009 Regensburg
GaN ist wegen seiner großen direkten Bandlücke von 3,4 eV bei Raumtemperatur zum bedeutendsten Halbleiter für optoelektronische Anwendungen im blauen Spektralbereich geworden. Die Leistungsfähigkeit solcher Bauteile wird jedoch eingeschränkt durch den hohen Widerstand der ohmschen Kontakte. Deshalb ist es von entscheidender Bedeutung, ohmsche Kontakte mit einem geringen Kontaktwiderstand zu entwickeln. Während auf n-leitendem GaN mit Ti/Al ein solcher Kontakt zur Verfügung steht, gibt esfür p-GaN noch keinen vergleichbaren Kontakt. Untersucht werden Ni/Mg/Au- bzw. Mg/Ni/Au-Kontakte auf Mg-dotiertem p-GaN. Als Referenz dienen Ni/Au-Kontakte, die zur Zeit ein Standard-Kontaktschema darstellen. Wir untersuchen, inwieweit sich das im Kontaktbereich nun zusätzlich vorhandene Mg verringernd auf den spez. Kontaktwiderstand auswirkt. Dabei wird insbesondere auch der Einfluß der Temperatur bei der anschließenden Temperung der Kontakte untersucht. Der spez. Kontaktwiderstand wird mit Hilfe der Circular Transmission-Line-Method(TLM) ermittelt. Bei dieser Methode wird das im Gegensatz zu Linear TLM notwendige Mesa-Ätzen der GaN-Oberfläche vermieden.