Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.71: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Der Einfluß von Verspannungen und Ladungsträgerkonzentrationen auf die exzitonische Rekombination in GaN Schichten — •G. Steude, P. Strzala, S. Fischer, M. Topf, D.M. Hofmann und B.K. Meyer — Justus-Liebig-Universität, I. Physikalisches Institut, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen

Die exzitonische Rekombination von GaN Schichten, die auf Saphir epitaxiert wurden zeigt systematische Variationen der Energielage vom Substrat zur Schichtoberfläche. Dies wurde durch ortsaufgelöste Photolumineszenz bei tiefen Temperaturen an GaN Schichten verschiedener Herstellungsverfahren untersucht (CVD Schichten, ELOG Substrate, und Multi-Puffer Schichten). Die beobachteten Effekte lassen sich durch die Überlagerung der Einflüsse von biaxialer Verspannung der Schichten und einer abnehmenden Ladungsträgerkonzentration zur Schichtoberfläche hin erklären. Diese Erklärung läßt sich durch Raman Untersuchungen bestätigen [1].

[1] A. Hoffmann, A. Göldner to be published.